產(chǎn)品詳情
系統(tǒng)概念
IPM（Inbligent Power Module），即智能功率模塊，是先進(jìn)的混合集成功率器件， 不僅把功率開(kāi)關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過(guò)電壓，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。 該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號(hào)源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)，選擇中心對(duì)準(zhǔn) SPWM 波形作為IPM控制信號(hào)源，檢測(cè)IPM 的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性，并對(duì)器件的故障信息給予判斷處理。
測(cè)試功能
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測(cè)試范圍 |
測(cè)試參數(shù) |
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IPM |
BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, VEC, Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt, T_MEAS, V_MEAS |
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IGBT |
ICES BVCES IGES VF VGEON VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT) |
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DIODE |
VF-Temp,Temp, VF revision |
參數(shù)指標(biāo)
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靜態(tài)參數(shù) |
上橋參數(shù) |
動(dòng)態(tài)參數(shù) |
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上橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(Ices-H) |
集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V |
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上橋IGBT/FRD耐壓測(cè)試(Bvce-H) |
集電極電流/Ice： 10～75A/±3%/1A |
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上橋驅(qū)動(dòng)IC低端靜態(tài)電流測(cè)試(IDH) |
VD=VBS=15V/±3%/0.1V |
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上橋驅(qū)動(dòng)IC高端靜態(tài)工作電流測(cè)試（Iqbs-U V W） |
VIN=0～5V/±3%/0.1V |
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上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVbsd-U V W） |
ton-L : 10～500nS/±3%/1nS |
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上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W） |
tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS |
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上橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓測(cè)試（Vth（on）-UH VH WH） |
toff-L: 50～500nS/±3%/1nS |
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上橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓測(cè)試（Vth（off）-UH VH WH） |
tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS |
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上橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UH VH WH） |
Trr-L :10～500nS/±3%/1nS |
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上橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UH VH WH) |
Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
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Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
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下橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試（Ices-L） |
下橋參數(shù) |
集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V |
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下橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試（IDL） |
集電極電流/Ice:10～75A/±3%/1A |
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故障輸出電壓測(cè)試（Vfoh Vfol） |
VD=VBS=15V/±3%/0.1V |
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過(guò)流保護(hù)閾值電壓測(cè)試（Vcin（ref）） |
VIN=0～5V/±3%/0.1V |
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下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVdd）VD=VBS=15V |
on-L : 10～500nS/±3%/1nS |
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下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr） |
tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS |
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下橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓（Vth（on）-UL VL WL） |
toff-L: 50～500nS/±3%/1nS |
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下橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓（Vth（off）-UL VL WL） |
tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS |
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下橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UL VL WL） |
Trr-L :10～500nS/±3%/1nS |
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下橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UL VL WL) |
Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
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Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ |
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