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萊寶真空泵在電子科技領(lǐng)域的核心應(yīng)用解析:從半導(dǎo)體制造到高端科研設(shè)備

數(shù)量(臺) 價格
10 21000.00元/臺
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詳細(xì)參數(shù)
品牌萊寶型號SV25B
輸送介質(zhì)油泵驅(qū)動方式電動泵
介質(zhì)溫度類型低溫泵材質(zhì)鑄鐵
最大出口壓力類型高壓泵(32MPa≤Pd<100MPa)葉片式泵葉輪級數(shù)單級泵
葉片式泵吸入方式單吸泵葉片式泵葉輪形式封閉式葉輪
葉片式泵殼體型式節(jié)段式葉片式泵泵軸位置臥式泵
結(jié)構(gòu)類型離心式顏色黑色 白色
產(chǎn)地廣東東莞

產(chǎn)品詳情

萊寶真空泵在電子科技領(lǐng)域的核心應(yīng)用解析:從半導(dǎo)體制造到高端科研設(shè)備  

萊寶真空泵通過提供高穩(wěn)定、無污染的真空環(huán)境,成為電子科技行業(yè)不可或缺的核心設(shè)備,覆蓋從芯片制造到顯示技術(shù)的全產(chǎn)業(yè)鏈。隨著電子器件向微型化、高性能化發(fā)展,萊寶持續(xù)創(chuàng)新真空技術(shù),推動行業(yè)突破物理極限。

1. 半導(dǎo)體制造

半導(dǎo)體制造是萊寶真空泵的核心應(yīng)用領(lǐng)域,涉及多個高精度工藝環(huán)節(jié):
- 薄膜沉積:
  - 化學(xué)氣相沉積(CVD):用于生成絕緣層(如SiO?)或?qū)щ妼樱ㄈ缍嗑Ч瑁?,萊寶渦輪分子泵提供高真空環(huán)境以確保薄膜均勻性。
  - 物理氣相沉積(PVD):在濺射鍍膜中,真空泵維持10??~10?? mbar的真空度,確保金屬層(如鋁、銅)的高質(zhì)量附著。
- 離子注入:真空泵用于去除雜質(zhì)氣體,保證離子束精確摻雜,提升芯片電性能。
- 光刻與蝕刻:在等離子蝕刻(Dry Etching)中,真空系統(tǒng)快速排出反應(yīng)氣體副產(chǎn)物,避免殘留污染。

技術(shù)優(yōu)勢:萊寶的干式螺桿泵(如SCREWLINE系列)無油污染,適合敏感工藝;渦輪分子泵(如MAGiNTEGRA)具備高抽速和極限真空(<10?? mbar),滿足先進制程(如5nm以下)需求。

2. 平板顯示制造(OLED/LCD)
在OLED和液晶面板生產(chǎn)中,真空泵用于:
- OLED蒸鍍:在高真空(10?? mbar)下蒸鍍有機材料,萊寶泵確保材料純度和像素精度,避免氧化失效。
- 液晶灌注:真空環(huán)境排除氣泡,保證液晶均勻填充,提升顯示一致性。
- 透明導(dǎo)電層(ITO)鍍膜:磁控濺射工藝中,真空泵維持穩(wěn)定壓力,確保ITO薄膜的導(dǎo)電性和透光率。

應(yīng)用案例:萊寶的COBRA干式渦旋泵用于蒸鍍設(shè)備,耐腐蝕且免維護,適合有機材料的高要求環(huán)境。

3. 光伏產(chǎn)業(yè)(太陽能電池)
-薄膜太陽能電池(如CIGS):真空泵用于CVD/PVD鍍膜,形成吸光層和透明電極,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
- 硅片加工:在晶硅電池的擴散爐中,真空系統(tǒng)控制磷摻雜過程,優(yōu)化PN結(jié)質(zhì)量。

技術(shù)特點:萊寶的RUVAC羅茨泵與旋片泵組合,實現(xiàn)大抽氣量和高能效,降低生產(chǎn)成本。

4. 電子元件封裝與測試
- 氣密封裝:真空環(huán)境防止芯片氧化,萊寶泵用于陶瓷/金屬封裝前的預(yù)抽真空(10?3 mbar)。
- 真空回流焊:減少焊點氣泡,提升連接可靠性,適用于高密度封裝(如BGA、CSP)。
-失效分析:掃描電鏡(SEM)等設(shè)備依賴真空泵提供無干擾成像環(huán)境。


科研與高端設(shè)備
-電子顯微鏡(SEM/TEM):渦輪分子泵維持超高真空(10??~10?1? mbar),確保電子束無散射。
- 粒子加速器:萊寶泵用于束流管道的真空維持,減少粒子碰撞損失。
- 量子計算:超導(dǎo)量子比特需要在極低溫與超高真空環(huán)境下運行,真空泵保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。



萊寶真空泵的技術(shù)優(yōu)勢
-高潔凈度:干式泵技術(shù)避免油污染,適合潔凈室環(huán)境。
- 高效節(jié)能:變頻驅(qū)動(如DUO系列)降低能耗30%以上。
- 智能控制:集成傳感器實時監(jiān)控壓力、溫度,支持IoT遠(yuǎn)程運維。
- 長壽命設(shè)計:耐腐蝕材料和模塊化結(jié)構(gòu)減少停機時間。

行業(yè)趨勢與未來方向
- 極紫外光刻(EUV):隨著EUV光刻機普及,萊寶研發(fā)更高抽速的泵以應(yīng)對氫氣等輕氣體處理。
- 第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC):高溫CVD工藝需要耐高溫真空解決方案。
- Mini/Micro LED:更小像素間距要求真空系統(tǒng)精度進一步提升。

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