產(chǎn)品詳情
熱擴(kuò)散的第二步是推進(jìn)，其作用是使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，哈默納科半導(dǎo)體硅諧波CSF-50-160-2UH在硅片中達(dá)到一定的深度。推進(jìn)溫度在1000~1250℃。熱擴(kuò)散的第三步是激活，當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時(shí)，雜質(zhì)原子與硅原子鍵合，從而改變硅的導(dǎo)電率。雜質(zhì)只有在成為硅晶格的結(jié)構(gòu)的一部分，才有助于形成半導(dǎo)體硅。
擴(kuò)散在高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行，在高溫爐中完成擴(kuò)散的三個(gè)步驟。哈默納科半導(dǎo)體硅諧波CSF-50-160-2UH高溫爐設(shè)備結(jié)構(gòu)見2.5.1節(jié)熱處理工藝單元設(shè)備。
通過物理注入方式向硅襯底引入一定數(shù)量的雜質(zhì)，將改變硅片的電學(xué)性能。離子注入的主要用途是摻雜半導(dǎo)體材料。目前離子注入方法優(yōu)于擴(kuò)散工藝，成為半導(dǎo)體摻雜工藝的主要方法。
1.離子注入機(jī)
離子注入工藝在離子注入機(jī)內(nèi)進(jìn)行。哈默納科半導(dǎo)體硅諧波CSF-50-160-2UH，一般離子注入機(jī)設(shè)備包括5個(gè)部分。
（1） 離子源。注入離子在離子源中產(chǎn)生，正離子由雜質(zhì)氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產(chǎn)生。
引出電極（吸級）和離子分析器。離子通過離子源上的一個(gè)窄縫被吸出組件吸引。
