概覽功率變換器是電能利用的重要裝置，在生產(chǎn)和生活中發(fā)揮著重要作用。功率變換器的核心是功率半導體器件，很大程度上決定了功率變換器的性能。經(jīng)過近幾十年的發(fā)展，功率半導體器件已經(jīng)形成了覆蓋幾伏到幾千伏、幾安到幾千安的龐大家族，常用的功率半導體器件類型包括MOSFET、IGBT、二極管等。大部分功率器件是基于Si半導體材料的，其特性已接近理論極限，成為功率變換器發(fā)展的瓶頸。與Si功率器件相比，SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度、能夠工作在更高的結(jié)溫下、可以同時實現(xiàn)高電壓和大電流。這些特性能夠顯著提升功率變換器的性能，獲得更高的電能轉(zhuǎn)換效率、實現(xiàn)更高的功率密度、降低系統(tǒng)成本。SiC功率器件適合應用于汽車牽引逆變器、電動汽車車載充電機、電動汽車充電樁、光伏、不間斷電源系統(tǒng)、能源儲存以及工業(yè)電源等領(lǐng)域。目前、國內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成熟，主流功率半導體器件廠商都已經(jīng)推出了SiC功率器件產(chǎn)品，成本也不斷下降，SiC功率器件的應用正處于爆發(fā)式增長中。

測試需求功率半導體動態(tài)參數(shù)測試（以半橋電路為基礎已經(jīng)發(fā)展出了一套完善的開關(guān)管開關(guān)特性評估方法，雙脈沖測試）是功率半導體研發(fā)與應用中的核心評估工具，不僅提供關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，還通過模擬實際工況揭示器件的潛在風險與優(yōu)化方向。以SiC和GaN為代表的第三代半導體的快速發(fā)展和應用給新能源汽車行業(yè)、電源行業(yè)等帶來顛覆性的變化，也給設計工程師帶來了非常大的測試挑戰(zhàn)。如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運行在自己的產(chǎn)品中，需要了解功率器件的動態(tài)特性。

測試目的1、測量關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)。測量開關(guān)損耗、開關(guān)時間、反向恢復特性等動態(tài)參數(shù)，用于優(yōu)化系統(tǒng)效率、評估器件響應速度、判斷其在換流過程中的安全裕量。2、驗證驅(qū)動電路設計。評估柵極驅(qū)動電阻的合理性，優(yōu)化驅(qū)動信號上升/下降斜率以減少開關(guān)震蕩。測試驅(qū)動芯片的保護功能是否有效。3、對比器件性能。在不同的電壓、電流、溫度條件下測試，對比不同材料（Si IGBT和SiCMOSFET）或不同廠商器件的性能差異，支持選型決策。4、分析寄生參數(shù)影響。5、評估極端工況下的可靠性

測試原理如圖1所示，以SiC MOSFET為例。雙脈沖測試電路由母線電容CBus、被測開關(guān)管QL、陪測二極管VDH、驅(qū)動電路和負載電感L組成。測試中，向QL發(fā)送雙脈沖驅(qū)動信號，就可以獲得QL在指定電壓和電流下的開關(guān)特性。實際功率變換器的換流模式有MOS-二極管和MOSMOS兩種形式，進行脈沖測試時需要選擇與實際變換器相同的形式和器件。對于MOS-MOS形式，只需要將二極管VDH換成SiC MOSFET QH，并在測試中一直施加關(guān)斷信號即可。在測試二極管反向恢復特性時，被測管為下管，負載電感并聯(lián)在其兩端，陪測管為上管，測試中進行開通關(guān)斷動作，如圖2所示。在整個測試中，QL進行了兩次開通和關(guān)斷，形成了兩個脈沖，測量并保留QL的VGS、VDS、IDS波形，就可以對其第一次關(guān)斷和第二次開通時動態(tài)特性進行分析和評估了。

典型應用場景1、電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)：驗證逆變器中IGBT/SiC模塊的開關(guān)損耗和熱穩(wěn)定性。2、可再生能源：測試光伏逆變器和儲能變流器（PCS）的功率器件在高頻開關(guān)下的可靠性。3、工業(yè)變頻器：評估電機驅(qū)動電路中器件的動態(tài)響應和電壓應力。4、開關(guān)電源：優(yōu)化高頻DC-DC變換器的效率與EMI特性。

方案特點1、可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET（包括第三代半導體器件SiC、GaN）功率半導體動態(tài)特性；2、測量的特性參數(shù)包括開啟、關(guān)斷、開關(guān)切換、反向恢復、柵極驅(qū)動、開關(guān)損耗等參數(shù)；3、支持客戶自定義夾具；4、使用普源示波器和探頭，可準確補償探頭時間延遲，專用的開關(guān)損耗算法，提供可靠的測試結(jié)果；5、獨特的光隔離探頭，最高1GHz帶寬高達180dB共模抑制比，準確測試驅(qū)動信號的真實情況。